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【电气讲坛】GaN HEMT器件的振荡现象分析及抑制

点击:122次 发布人:kyb 发布时间:2019-05-29 10:43:01

报告名称

GaN HEMT器件的振荡现象分析及抑制

时 间

2019年6月1日(周六)上午9:00

地 点

电气科学楼4楼会议室(E-411)

主 讲 人

罗全明

主办单位

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备注

罗全明,重庆大学教授,博导,从事半导体驱动电源及系统、电动汽车与电网互动系统、交直流微网系统、通信电源系统等方面的研究。承担国家自然科学基金面上项目及青年基金项目各1项、输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室自主面上项目2项,作为主研参加国家高技术研究发展计划(863计划)课题2项、国家自然科学基金重点项目1项及面上项目3项。获教育部高等学校自然科学奖一等奖、二等奖各1项,重庆市科技进步三等奖1项。申请国家发明专利10余项,授权6项,在国内外重要学术期刊及国际会议发表论文40余篇,其中SCI、EI检索30余篇。


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